高纯4N（99.99%） 二氧化硅陶瓷靶材，价格以当日报价为准，需联系销售报价！！！
元素 ： SiO₂
纯度 ： 4N
形状 ： 平面靶材
规格 ： 1Kg
包装 ： 三层真空包装或充氩气保护，符合IATA、DOT包装规范
所有订单均提供正式发票，另外依据客户需要提供正式报价单和合同
市场参考价格：¥200.00/片左右，价格仅供参考，如有需要，请咨询报价，以当日报价为准！
规格：D50.8X3mm，D101.6X3mm或者加工定制
纯度：99.99%
颜色：透明晶片
二氧化硅靶材是一种在现代工业中具有重要应用的材料，主要用于在半导体制造、光学镀膜和薄膜太阳能电池等应用中沉积二氧化硅薄膜。
二氧化硅陶瓷靶材特征
摩尔质量：60.08 g/mol
外观：透明固体（无定形）
密度：2.648 (α-石英), 2.196 (无定形) g·cm -3
熔点：1,713 °C (3,115 °F; 1,986 K)
沸点：2,950 °C (5,340 °F; 3,220 K)
磁化率(χ)：-29.6·10 -6 cm 3 /mol
导热系数：12 (|| c-axis), 6.8 (⊥ c-axis), 1.4 (am.) W/(m⋅K)(p12.213)
折射率 (nD)：1.544 (o), 1.553 (e)(p4.143)
二氧化硅靶材的制备方法
粉末准备：首先需要准备高纯度的二氧化硅粉末。
成型：将粉末通过冷等静压或热压的方式成型为靶材的初胚。
脱气和烧结：在保护气氛下，对成型的初胚进行脱气处理，以去除粉末中的气体杂质，随后进行热等静压烧结，以提高靶材的致密度和均匀性。
热处理：烧结完成后，靶材可能需要进行热处理，如退火或淬火，以优化其性能。
机械加工：对烧结和热处理后的靶材进行机械加工，包括切割、打磨和抛光，以达到所需的尺寸和形状。
检验：对制备好的靶材进行质量检验，包括纯度、致密度、抗弯强度等性能指标的检测。
二氧化硅靶材的应用领域
半导体制造：二氧化硅靶材用于集成电路中的绝缘体和介电材料。
光学镀膜：二氧化硅靶材用于透镜和镜子以提高性能。
薄膜太阳能电池：二氧化硅靶材充当抗反射涂层以提高能源效率。
