高纯4N（99.99%）氧化镓陶瓷靶材，价格以当日报价为准，需联系销售报价！！！
元素 ： Ga₂O₃
纯度 ： 4N
形状 ： 平面靶材
规格 ： 1Kg
包装 ： 三层真空包装或充氩气保护，符合IATA、DOT包装规范
所有订单均提供正式发票，另外依据客户需要提供正式报价单和合同
市场参考价格：¥1080.00/片左右， 价格仅供参考，如有需要，请咨询报价，以当日报价为准！
纯度：4N
形状：平面靶 旋转靶 异型定制
外观：白色 / 浅灰色陶瓷圆片或方板，尺寸 2–8 英寸，厚度 3–6mm
尺寸： D50.8x3.175mm 或者可按要求定制
氧化镓靶材是一种以氧化镓（Ga₂O₃）为核心成分的溅射靶材，属于第四代（超宽禁带）半导体材料。它主要用于磁控溅射等物理气相沉积工艺，在基片上沉积出高质量的氧化镓薄膜，是制造高性能半导体器件的关键基础材料。
氧化镓靶材核心特性
高纯度：主流产品纯度达99.99%（杂质含量≤100ppm），部分企业通过严格生产流程和质量检测，将杂质控制在更低水平。
宽禁带特性：禁带宽度为4.8-5.3eV，能够实现更高的击穿电场强度和更优的热稳定性。
可调控性：通过调整掺杂元素类型和浓度，可精准控制材料的导电性、光学性能等参数，满足不同应用场景需求。
氧化镓靶材制备工艺
配料：高纯Ga₂O₃粉体（4N～5N）筛分混合。
成型：冷等静压（CIP）预压成型。
烧结：高温真空烧结或热压烧结（SPS/Hot Press），高端产品加热等静压（HIP）进一步提高致密度和抗裂性。
加工：精密磨削、抛光、清洗、真空包装。
氧化镓靶材主要应用领域
功率半导体：用于制造新能源汽车快充模块、智能电网固态变压器等，能显著提升效率并减小设备体积。
光电器件：用于日盲紫外（UVC）探测器、深紫外LED等。其电信号对UVC光极其敏感，探测比可超1000:1。
透明导电薄膜：常作为掺杂源与氧化锌（ZnO）结合，制成GZO靶材。这种薄膜导电性和透光性极佳，是柔性OLED显示屏、钙钛矿太阳能电池的关键材料。
