高纯5N（99.999%）单晶硅衬底材料，价格以当日报价为准，需联系销售报价！！！
元素 ： SiC
纯度 ： 4N 5N
形状 ： 基片
规格 ： 片
包装 ： 100级洁净袋，1000级超净室
所有订单均提供正式发票，另外依据客户需要提供正式报价单和合同
市场参考价格：¥55/片左右，碳化硅（SiC）单晶衬底材料晶体结构为六角形，生长法化学气相沉积，莫氏硬度为9.5级，具有许多优良的性质，热导率高、饱和电子迁移率高、抗电压击穿能力强等 。如需更多详情请欢迎电话咨询获得更多优惠!
碳化硅晶体衬底材料规格及参数
标准尺寸 ：5x5mm、10x5mm、10x10mm、15x15mm、20x20mm、φ2”x0.33mm、φ4”x0.35mm、φ4”x0.5mm、φ6”x0.35mm、φ6”x0.35mm、15x15x0.5mm
厚 度 ： 0.35mm、0.5mm、1.0mm 或根据客户要求生产
方 向： <0001> 或 <0001> 4.0º
带 隙： 3.23 电子伏特
水晶型： 4H-碳化硅、6H-碳化硅
掺杂类型： N型、半绝缘/V掺杂、半绝缘/未掺杂
电阻率： 0.015~0.028 ohm-cm(N型), >1E5 ohm-cm (半绝缘)
热膨胀系数： (4~5) x 10 -6 /K
导热系数@300K： 3.7~4.9 W/cm.K
碳化硅晶体衬底材料应用
产品用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体功率器件，此类器件广泛应用于5G通信、高铁、汽车电子、智能电网、光伏逆变等领域。低品级碳化硅（含SiC约85%）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。
