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氮化镓
是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
制作方法： | HVPE（氢化物气象外延法） |
传导类型： | N型；半绝缘型 |
电阻率： | R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm |
表面粗糙度： | <0.5nm |
位错密度： | <5x106Ω.cm |
可用表面积： | >90% |
TTV： | ≤15um |
Bow： | ≤20um |
晶向： | <0001> |
常规尺寸： | dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um |
产品可加工定制，根据材质及规格不同，均有差异
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