高纯3N（99.9%） 钛硅合金靶材，价格以当日报价为准，需联系销售报价！！！
元素 ： TiSi
纯度 ： 4N
形状 ： 平面靶材
包装 ： 真空包装、纸箱、木箱
所有订单均提供正式发票，另外依据客户需要提供正式报价单和合同
市场参考价格：¥400.00/Kg左右，价格仅供参考，如有需要，请咨询报价，以当日报价为准！
产品名称：钛硅（TiSi）合金靶材
配比：TiSi5~50wt%
纯度：99.9%
尺寸： D50.8x3mm 或者提供尺寸定制
钛硅合金靶材（TiSi Target）是一种由高纯度钛（Ti）与硅（Si）按特定比例合成的合金靶材，广泛应用于物理气相沉积（PVD）工艺中，用于制备高性能硬质涂层、半导体薄膜及光学薄膜等。
钛硅合金靶材特性
高硬度和耐磨性：钛硅合金靶材制备的 TiSiN 薄膜硬度可达 46GPa 以上，高温抗氧化温度可达 880℃以上，能显著提高刀具、模具等的耐磨性能和使用寿命。
良好的抗氧化性：硅元素的存在赋予了靶材优异的抗氧化性能，其制备的涂层在高温下仍能保持良好的稳定性，例如 TiSiN 硬质镀层使用温度可达 1100℃。
组织均匀性好：采用热等静压等先进工艺制备的钛硅合金靶材，相对密度超过 99%，平均晶粒尺寸可控制在 100μm 以下，组织均匀，无气孔和偏析，能有效提高溅射薄膜的质量。
钛硅合金靶材制备方法
热等静压法是规模化生产显微组织均匀、密度均匀、大尺寸钛硅靶材的佳方法。该方法是将钛粉、Si 粉或 TiSi₂粉末等原料按比例混合后，装入包套，经过真空热脱气处理，再在高温高压下进行热等静压致密化处理，可制得致密度高、合金化程度高、无气孔和偏析、晶粒细小的靶材。
钛硅合金靶材主要应用领域
半导体领域：用于集成电路的金属化层或阻挡层，如 Cu 互连的扩散阻挡层，可提高集成电路的性能和可靠性。
光学镀膜领域：可制备高反射率或抗反射涂层，应用于红外光学器件等，以满足光学器件对光反射和透射性能的要求。
显示技术领域：在 OLED 或 LCD 中用于制备电极薄膜，如透明导电氧化物底层，有助于提高显示面板的性能。
工具涂层领域：广泛应用于切削工具、模具表面的耐磨涂层，可提高工具的切削性能和模具的使用寿命，降低加工成本。
