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溅射靶材

溅射是制备薄膜材料的主要技术之一,它利用离子源产生的离子,在真空中经过加速聚集,而形成高速度能的离子束流,轰击固体表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面,被轰击的固体是制备溅射法沉积薄膜的原材料,称为溅射靶材。各种类型的溅射薄膜材料无论在半导体集成电路太阳能光伏记录介质、平面显示以及工件表面涂层等方面都得到了广泛的应用。目前溅射靶材主要应用于电子及信息产业,如集成电路信息存储液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等;亦可应用于玻璃镀膜领域;还可以应用于耐磨材料、高温耐蚀、高档装饰用品等行业。

钨钛(WTi)合金靶材

纯度: 3N5, 4N

¥ 800.00

钼铜(MoCu)合金靶材

纯度: 3N5

¥ 300.00

钼铌(MoNb)合金靶材

纯度: 3N5

¥ 650.00

钼钽(MoTa)合金靶材

纯度: 3N5

¥ 1200.00

钼锆钛(TZM)合金靶材

纯度: 3N,3N5

¥ 500.00

钼镧(MoLa)合金靶材

纯度: 3N

¥ 950.00

碲(Te)靶材

纯度: 4N,7N

¥ 500.00

硒靶材 (Se)

纯度: 4N,5N,6N

¥ 460.00

氧化铝(Al₂O₃)陶瓷靶材

纯度: 4N

¥ 500.00

二氧化铪(HfO)陶瓷靶材

纯度: 3N5,4N

¥ 1200.00

二氧化锆(ZrO₂)陶瓷靶材

纯度: 3N5,4N

¥ 1200.00

三氧化钼(MoO₃)陶瓷靶材

纯度: 3N

¥ 600.00

三氧化钨(WO₃)陶瓷靶材

纯度: 3N

¥ 1300.00

氧化镍(NiO)陶瓷靶材

纯度: 3N

¥ 400.00

一氧化硅(SiO)陶瓷靶材

纯度: 3N,4N

¥ 1000.00

二氧化硅(SiO₂)陶瓷靶材

纯度: 4N

¥ 200.00

氧化铈陶(CeO₂)瓷靶材

纯度: 3N,4N

¥ 500.00

氧化铬(Cr₂O₃)陶瓷靶材

纯度: 3N,4N

¥ 600.00

氧化铟(In₂O₃)陶瓷靶材

纯度: 4N

¥ 600.00

氧化锡(SnO₂)陶瓷靶材

纯度: 3N,3N5

¥ 600.00

氧化镁( MgO₂)陶瓷靶材

纯度: 3N5,4N

¥ 650.00

二氧化钛(TiO₂)陶瓷靶材

纯度: 3N5,4N

¥ 400.00

氧化铌(Nb₂O₅)陶瓷靶材

纯度: 3N5

¥ 500.00

五氧化二钽(Ta₂O₅)陶瓷靶材

纯度: 3N5,4N

¥ 1200.00